Tuần trước, Intel đã chủ trì một “ngày công nghệ”, và nói về những công nghệ mà họ đang phát triển. Một trong những điểm nhấn chính của bài thuyết trình là node 10nm sắp tới mà Intel đã tuyên bố rằng “nó sẽ vượt qua cả” các công nghệ 10nm mà các công ty công nghệ khác đang sử dụng bao gồm Samsung, TSMC, Qualcomm…
Vậy điều gì làm nên sự khác biệt khi so sánh quy trình 10nm của Intel với các đối thủ của họ? Để bắt đằu, họ sự dụng công nghệ FinFET thế hệ thứ ba, nhưng nó còn có nhiều điều hơn thế. Một trong những trọng tâm mà Intel khi nói đến 10nm là HyperScaling, mà sẽ cho phép Intel “tiếp tục kế thừa các giá trị của định luật Moore bằng việc thu nhỏ bóng bán dẫn và chi phí trên mỗi bóng bán dẫn sẽ thấp hơn” Chúng ta có thể thấy ví dụ của Intel về điều này trong biểu đồ bên dưới, mà được xuất bản như là một tài liệu dành cho báo chí cho sự kiện này.
Với node 10nm, Intel khẳng định rằng nó có thể cải thiện mật độ bóng bán dẫn lên 2.7 lần khi so sánh với công nghệ 14nm. Đạt được điều này nhờ vào việc thu hẹp “miminum gate pictch” từ 70nm xuống 54nm và “minimum metal pictch” giảm từ 52nm xuống 36nm. Điều này cho phép mật độ bóng bán dẫn có thể đạt được con số 100,8 mega trên mỗi mm, ước tính gấp đôi các chip 10nm cạnh tranh khác.
Bên cạnh đó, việc chuyển từ 14nm xuống 10nm sẽ giúp Intel mang lại những cải tiến khác. Quy trình mới được cho là sẽ có hiệu năng tốt hơn 25% và hiệu quả tiêu thụ điện tốt hơn 45%. Một phiên bản 10nm cải tiến sắp tới mà được gọi là “10nm++” sẽ làm tăng thêm 15% hiệu suất, tiêu thụ điện giảm xuống thêm 30%.
nguồn: KitGuru!
